| 型号：SMUN5116DW1T1G | 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 | 制造商：ON Semiconductor |
| 封装：* | 描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363 | |
详细参数
| 类别 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
|---|---|
| 描述 | TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363 |
| 系列 | - |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 电流_集电极（Ic）111最大222 | 100mA |
| 电压_集电极发射极击穿111最大222 | 50V |
| 电阻器_基极（R1）111欧222 | 4.7k |
| 电阻器_发射极（R2）111欧222 | - |
| 在某IceeeVce时的最小直流电流增益（hFE） | 160 @ 5mA，10V |
| IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 250mV @ 1mA，10mA |
| 电流_集电极截止111最大222 | 500nA |
| 频率_转换 | - |
| 功率_最大 | 187mW |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 包装 | * |
供应商
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